Hardware, Tecnologia

Toshiba desenvolve transístor de 16 nanómetros

chipA Toshiba acaba de anunciar que desenvolveu um nova tecnologia no campo dos nano transístores, de 16 nanómetros. A empresa atingiu o patamar de 1mA/μm,  o mais elevado do mundo para um nano transístor, ao eliminar a sua resistência parasita e melhorando os níveis de corrente em 75%.     

 

Quando o tamanho dos actuais transístores se torna menor, a “fuga” entre a fonte e o dreno do circuito aumenta de forma dramática e torna critica a fiabilidade do circuito. Para ultrapassar esta limitação, os transístores com uma estrutura 3D, incluindo os de silício, estão a ser desenvolvidos e pesquisados como candidatos para as futuras gerações de dispositivos. A Toshiba inovou ao optimizar o fabrico das “gates” (portas lógicas) reduzindo a grossura da gate, de 30nm para 10 nm.

Structure-of-a-silicon-nanowire-transistor

 

Comparison-with-the-previous-work

Escrito por: Miguel


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